3分鐘前 福建3D顯微鏡設(shè)備了解更多「蘇州特斯特」[蘇州特斯特31ff5f9]內(nèi)容：掃描顯微鏡是一種利用傳播媒介的無(wú)損檢測(cè)設(shè)備。在工作中采用反射或者透射等掃描方式來(lái)檢查元器件、材料、晶圓等樣品內(nèi)部的分層、空洞、裂縫等缺陷。通過(guò)發(fā)射短波傳遞到樣品內(nèi)部，在經(jīng)過(guò)兩種不同材質(zhì)之間界面時(shí)，由于不同材質(zhì)的阻抗不同，吸收和反射程度的不同，進(jìn)而的反射能量信息或者相位信息的變化來(lái)檢查樣品內(nèi)部出現(xiàn)的分層、裂縫或者空洞等缺陷。先進(jìn)的顯微成像的技術(shù)是諸多行業(yè)領(lǐng)域在各類(lèi)樣品中檢查和尋找瑕疵的重要手段。在檢查材料又要保持完整的樣品時(shí)，這項(xiàng)非破壞性檢測(cè)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)尤為突出。

微光顯微鏡偵測(cè)得到亮點(diǎn)之情況：會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷 - 漏電結(jié)（Junction Leakage）; 接觸毛刺（Contact spiking）; （熱電子效應(yīng)）Hot electr;閂鎖效應(yīng)（ Latch-Up）;氧化層漏電（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶須（Poly-silicon filaments）; 襯底損傷（Substrate damage）; （物理?yè)p傷）Mechanical damage等。原來(lái)就會(huì)有的亮點(diǎn) - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。

偵測(cè)到亮點(diǎn)之情況；

會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷：1.漏電結(jié)；2.解除毛刺；3.熱電子效應(yīng)；4閂鎖效應(yīng)； 5氧化層漏電；6多晶硅須；7襯底損失；8.物理?yè)p傷等。 偵測(cè)不到亮點(diǎn)之情況 不會(huì)出現(xiàn)亮點(diǎn)之故障：1.亮點(diǎn)位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面積金屬線底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯(lián)短路；4.表面 反型層；5.硅導(dǎo)電通路等。

點(diǎn)被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置，這種情 況可采用Backside模式，但是只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及 拋光處理。