鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時(shí)，會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。超純金屬超純的純度也可以用剩余電阻率來測定，其值約為2×10-5。

各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。

區(qū)域提純后的金屬鍺,其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆厘米時(shí)，純度相當(dāng)于8～9，可以滿足電子器件的要求。但對于雜質(zhì)濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺，則尚須經(jīng)過特殊處理。

由于鍺中有少數(shù)雜質(zhì)如磷、鋁、硅、硼的分配系數(shù)接近于1或大于1，要加強(qiáng)化學(xué)提純方法除去這些雜質(zhì)，然后再進(jìn)行區(qū)熔提純。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展，用它制造的磁光盤具有存儲容量大，壽命長，可反復(fù)無接觸擦寫的特點(diǎn)。電子級純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應(yīng)測量雜質(zhì)（載流子）濃度，一般可達(dá)10～10原子/厘米。經(jīng)切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達(dá)到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當(dāng)于13）所作的探測器,其分辨率已接近于理論數(shù)值。

各種純度鋁中的雜質(zhì)含量及剩余電阻率如表2所示。當(dāng)通過用紫外線照射其表面或者使其暴露于臭氧中，使導(dǎo)電橡膠輥的表面上形成氧化膜時(shí)，導(dǎo)電橡膠輥表面的氧濃度變得較高。超純金屬超純的純度也可以用剩余電阻率來測定，其值約為2×10-5?，F(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展趨勢是對金屬純度要求越來越高。因?yàn)榻饘傥茨苓_(dá)到一定純度的情況下，金屬特性往往為雜質(zhì)所掩蓋。不僅是半導(dǎo)體材料，其他金屬也有同樣的情況，由于雜質(zhì)存在影響金屬的性能。

鎢過去用作燈泡的燈絲，由于脆性而使處理上有困難，在適當(dāng)提純之后，這種缺點(diǎn)即可以克服（鎢絲也有摻雜及加工問題）。

金屬靶材材質(zhì)分為：

鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。工業(yè)上大量使用的是工業(yè)純稀土金屬，較高純度的稀土金屬主要供測定物理化學(xué)性能之用。