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武漢840nmSLD模塊寬帶光源誠信企業「沐普科技」臺灣妮妮

   日期:2024-03-09     作者:沐普科技    瀏覽:64    評論:0    
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7分鐘前 武漢840nmSLD模塊寬帶光源誠信企業「沐普科技」[沐普科技1b75b01]內容:我們建議遵守每個封裝上標注的工作條件。雖然使用推薦的設置可達到更佳性能,但部分用戶也可以通過改變這些推薦設置來調整SLD的光譜特性。例如,在較低溫度下工作將引起中心波長向更短波長方向漂移。但必須指出,隨著溫度降低,注入電流也會減小,因此達不到封裝上標注的輸出功率。SLD應該在恒定電流和恒溫模式下操作,選擇合適的SLD安裝座和驅動器會使操作相對簡單。為了安裝和驅動這些SLD,Thorlabs推薦使用ITC4000系列激光二極管驅動器和LM14S2安裝座。對于多數的有源半導體器件,必須配備標準的抗靜電處理步驟,以防止因放電導致的裝置損壞

先說一下超輻射光源與LED以及LD的區別,這樣可能更好的理解。

超輻射光源就是放大的自發輻射。它與半導體激光器以及發光二極管的區別主要體現在這三個特性上面。首先是功率特性,LED是純粹的自發輻射,功率與注入的電流呈完全線性的關系。而SLD是由于增益介質中的激發密度很高,自發輻射的光子進一步激發載流子復合產生相同的光子,在增益介質內傳播過程中不斷產生受激輻射,受激發射的光子從而呈指數型增加,由初的自發發射為主變成放大的自發發射為主。而LD是有真正意義上的閾值拐點,即腔內損耗等于增益的時候。

對于光譜特性,SLD是初的自發發射譜和LED相同,但在增益的過程中,靠近中心增益波長的光子得到更大的放大,遠離中心增益波長的光子得到的較小的放大,從而使光譜變窄。

對于遠場分布特性,SLD與LED的區別主要體現在平行于節平面的方向,由于LED是隨機的自發輻射,方向也都是隨機的,在這一方向的發散角是120°左右,而SLD在經過定向的自發放大后,發散角也得到了縮小,接近于LD的狀態,一般為20°左右。

武漢沐普科技SLD(SLED)寬帶光源涵蓋了800-1650nm波長范圍內不同波長區間的要求,典型中心波長包括:840nm、1060nm、1310nm、1550nm等

SLD的主要的應用:

波分復用:

波分解復用器件將一寬譜光源分割成許多窄線寬的光波,從而用單一光源代替了傳統的激光器光源,實現了單一光源的多波長輸出

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